Нижча вартість

Простіша технологія виробництва

Вища швидкість читання

Можливість перезапису даних

Швидкий процес запису

Можливість електричного стирання

Висока щільність запису

Необхідність ультрафіолетового випромінювання для стирання

Зовнішній пристрій зберігання даних

Швидка буферна пам'ять між процесором і основною пам'яттю

Основна пам'ять комп'ютера

Постійний запам'ятовуючий пристрій великого об'єму

Chip Select (CS)

Interrupt Request (IRQ)

Data Strobe (DS)

Address Latch Enable (ALE)

SRAM використовує тригери, а DRAM – конденсатори

SRAM використовує транзистори, а DRAM – магнітні елементи

DRAM використовує тригери, а SRAM – конденсатори

SRAM використовує конденсатори, а DRAM – тригери

Час відновлення (Recovery Time)

Час утримання даних (Data Hold Time)

Час затримки виходу (Output Enable Delay)

Час встановлення адреси (Address Setup Time)

Можливість стирання окремих байтів

Нижча вартість

Вища швидкість читання

Простіша технологія програмування

Chip Select (CS)

Write Enable (WE)

Output Enable (OE)

Read Enable (RE)

SRAM

EPROM

DRAM

Flash-пам'ять

Сигнал скидання (RESET)

Сигнал живлення (VCC)

Адресні лінії

 Лінії даних