виникненя фотоЕРС на клемах пристрою, який містить р-п- перехід

зміна контактної різниці потенціалів.

 виникнення енергетичного бар’єру;

(4) зміна контактної різниці потенціалів.

зміна провідності;

(4) зміна контактної різниці потенціалів.

 +150° С

 + 70° С;

 +22° С;

  +200° С.

Si

GaAs

CuSe

Ge

стан поверхні

втрати

концентрацію домішок

ширину забороненої зони Е_g

малою швидкістю об’ємної

рекомбінації.

частиною сонячного спектру, енергія якого менша за E_g;

частиною сонячного спектру, енергія якого вища за E_g

великою швидкістю об’ємної

рекомбінації.

яка частина потужності виробляється в р-п

-

переході;

яка частина потужності, що виробляється СЕ

використовується у

навантаженні

яка частина потужності зумовлена затіненням контактною сіткою

яка частина потужності, втрачається на опорі запірного шару;

н/п фотоанода і металічного катода, занурених в електроліт;

металічного

н/п катода і вугільного анода, занурених в електроліт;

електроліту, що містить

окислювально-відновну систему  Ox / Red

низьким квантовим виходом

низьким ККД та низькою собівартістю;

високим ККД

високим значення струму витоку.

міжзонна рекомбінація

поверхнева та об’ємна рекомбінація

рекомбінація через локальні центри

безвипромінювальна

рекомбінація