Der Kollektorstrom I_C steigt linear mit U_CE an.

Der Kollektorstrom I_C fällt linear mit U_CE.

Der Kollektorstrom I_C bleibt unverändert.

Der Kollektorstrom I_C steigt wie bei einem PN Übergang der Diode mit U_CE an.

In Falstad gibt es keinen algebraischen Zusammenhang zwischen U_BE, I_B und I_C. Die Spannungen und Ströme werden mittels Monte-Carlo-Integration des thermischen Rauschens an den PN Übergängen ermittelt. / In Falstad, there is no algebraic relationship between U_BE, I_B and I_C. The voltages and currents are determined by means of Monte Carlo integration of the thermal noise at the PN junctions.

In dem einfachsten Transistormodell in Falstad gibt es einen quadratischen Zusammenhang zwischen der Basis-Emitterspannung U_BE und dem Kollektorstrom I_C. Der Basisstrom I_B wird durch den Kollektorstrom I_C verstärkt. / In the simplest transistor model in Falstad, there is a quadratic relationship between the base-emitter voltage U_BE and the collector current I_C. The base current I_B is amplified by the collector current I_C.

In Falstad kann der Proportionalitätsfaktor beta für den NPN Transistor eingestellt werden. In dem einfachsten Modell steigt der Kollektorstrom I_C linear proportional zum Basisstrom I_B. / The proportionality factor beta for the NPN transistor can be set in Falstad. In the simplest model, the collector current I_C increases linearly proportional to the base current I_B.

Zunächst wird eine DC Spannung aus gewählt die über der Schwellenspannung der Diode liegt. Die minimale Spannung muss immer über der Schwellenspannung liegen. Zur Darstellung der Strom-Spannungskennlinie wird dann die Diode peridisch in der Durchflussrichtung getauscht. Dadurch ergibt sich ein Spannungsprofil in Form eines Sägezahns. Durch einen Rechtsclick auf den Hintergrund lässt sich das Scope öffnen und unter Properties unter Scope Properties in XY Plots unter Strom über Spannung ausgewählt. Daraufhin wird die Kennlinie angezeigt. /  Firstly, a DC voltage is selected that is above the threshold voltage of the diode. The minimum voltage must always be above the threshold voltage. To display the current-voltage characteristic, the diode is then swapped peridically in the flow direction. This results in a voltage profile in the form of a sawtooth. By right-clicking on the background, the scope can be opened and selected under Properties under Scope Properties in XY Plots under Current over voltage. The characteristic curve is then displayed.

Zunächst wird an der Spannungsquelle eine sinusförmige Spannung mit einer Amplitude von 0,6V und 50Hz ausgewählt. Die maximale Spannung darf dabei die Schwellenspannung der Diode nicht überschreiten. Danach kann mit einem Rechtsclick auf Scope die Scope Properties und der Punkt Strom-Spannungsdiagramm ausgewählt werden. Das Strom-Spannungsdiagramm wird dann angezeigt. / Firstly, a sinusoidal voltage with an amplitude of 0.6V and 50Hz is selected at the voltage source. The maximum voltage must not exceed the threshold voltage of the diode. Then right-click on Scope to select the Scope Properties and the item Current-voltage diagram. The current-voltage diagram is then displayed.

Zunächst wird eine veränderliche Spannungsquelle gewählt. Besonders geeignet ist ein Sägezahnsignal in dem geeigneten Spannungsbereich. Mit einem Rechtsclick auf das Scope kann man unter Scope Properties in XY Plots unter Strom über Spannung anzeigen anwählen. Das Diagramm wird dann angezeigt. / Firstly, a variable voltage source is selected. A sawtooth signal in the appropriate voltage range is particularly suitable. Right-click on the scope to select Display current over voltage under Scope Properties in XY Plots. The diagram is then displayed.

Der Strom I_B verhält sich bei dem idealen NPN Transistor in Abhänigkeit von U_BE wie der einer Diode. / In the ideal NPN transistor, the current I_B behaves like that of a diode depending on U_BE.

Der Strom I_B verhält steigt quadratisch mit der Spannung U_BE für den idealen NPN Transistor an, da die Spannungsversorgung über den Kollektor den Basisstrom verstärkt. / The current I_B increases quadratically with the voltage U_BE for the ideal NPN transistor, as the voltage supply via the collector amplifies the base current.

Der Strom I_B steigt linear bei dem idealen NPN Transistor in Falstad wie bei einem Widerstand mit der Spannung U_BE an. / The current I_B increases linearly with the ideal NPN transistor in Falstad as with a resistor with the voltage U_BE.

Parallel zu dem Bauteil bzw. den Zweig dessen Teilspannung ich messen will. | Parallel to the component or the branch whose partial voltage I want to measure.

Seriell zu dem Bauteil bzw. den Zweig dessen Teilspannung ich messen will. | In series to the component or the branch whose partial voltage I want to measure.