Визначити коефіцієнт відбиття гармонічної хвилі від кінця довгої лінії без спотворень, навантаженої індуктивним опором, модуль якого удвічі більше хвильового опору лінії.

Визначити погонну індуктивність довгої лінії без спотворень, якщо погонні опір, провідність та ємність дорівнюють відповідно 1.3 Ом/м, 1.25 мСм/м та 4 пФ/м.

Визначити погонну провідність довгої лінії без спотворень, якщо погонні опір, індуктивність та ємність дорівнюють відповідно 1.5 Ом/м, 3 нГн/м та 7.5 пФ/м.

Визначити власну резонансну частоту довгої лінії без втрат з хвильовим опором 32.6 Ом та погонною індуктивністю 40 нГн/м.

Який з перерахованих параметрів біполярного транзистора визначає крутизну його статичної прохідної характеристики в режимі КЗ на виході?

Визначити погонну провідність довгої лінії без спотворень з погонними параметрами відповідно 2.1 Ом/м та 72 нГн/м, в якій фазова швидкість дорівнює 335000 км/с.

Визначити, яким має бути хвильовий опір довгої лінії без спотворень для забезпечення фазової швидкості сигналу в лінії 388500 км/с на частоті 45 МГц, якщо погонна ємність лінії 65 пФ/м.

Визначити коефіцієнт відбиття гармонічної хвилі від кінця довгої лінії без спотворень, навантаженої ємнісним опором, модуль якого дорівнює хвильовому опору лінії.

Визначити коефіцієнт насичення активного елементу транзисторного ключа на біполярному транзисторі, якщо в колах бази і колектора включено резистори з опорами 3.5 кОм та 0.8 кОм, напруга живлення 8 В, на вхід подано напругу високого рівня 3.8 В, а статичний коефіцієнт передачі струму транзистора 13.

Визначити погонну індуктивність довгої лінії без спотворень з хвильовим опором 28 Ом, в якій на частоті 110 МГц коефіцієнт фази дорівнює 0.36 рад/м.