Se comporta como un diodo rectificador normal, con la diferencia de que conduce cuando está polarizado en forma directa y adeás se le aplica un pequeño pulso de corriente en el gate.

En el siguiente circuito utilice el enfoque exacto (Thévenin) y determine lo siguiente: Ic,VCE, IB, VE y VB.

Para la siguiente red determine:  re, Zi, Zo,Av y Ai. Ademas calcule  Zo, Av y Ai con ro = 25 Kohms.

Transistor en el que la corriente de ID está controlada por el voltaje de compuerta a fuente VGS (con polarización inversa de la compuerta con respecto a la fuente), existen en canal N y P.

Se comporta de forma similar a dos diodos zener en serie en contraposición; cuando la tensión alcanza el valor de ruptura, permite la circulación de corriente entre sus terminales.

De la siguiente red calcula Ic, VE, VCC, VCE, VB y R1.

Permite la circulación de corriente de una forma bidireccional. Para que conduzca es necesario aplicar un impulso de corriente en la patilla puerta.

Del siguiente circuito determine RE y RB si  Av=-10 y re= 3.8 ohms. Asuma que Zb= (beta)(RE). 

Este transistor no tiene canal entre drenaje y fuente, lo que tiene es un sustrato con una delgadísima capa de dióxido de silicio (SiO2), que funciona como aislante. Según las cargas entre el sustrato y la compuerta se creará un canal que permitirá el paso de la corriente. Existen en tipo enriquecimiento y empobrecimiento.