Se comporta como un diodo rectificador normal, con la diferencia de que conduce cuando está polarizado en forma directa y adeás se le aplica un pequeño pulso de corriente en el gate.

En el siguiente circuito utilice el enfoque exacto (Thévenin) y determine lo siguiente: Ic,VCE, IB, VE y VB.

Para la siguiente red determine:  re, Zi, Zo,Av y Ai. Ademas calcule  Zo, Av y Ai con ro = 25 Kohms.

Transistor en el que la corriente de ID está controlada por el voltaje de compuerta a fuente VGS (con polarización inversa de la compuerta con respecto a la fuente), existen en canal N y P.

Se comporta de forma similar a dos diodos zener en serie en contraposición; cuando la tensión alcanza el valor de ruptura, permite la circulación de corriente entre sus terminales.

Permite la circulación de corriente de una forma bidireccional. Para que conduzca es necesario aplicar un impulso de corriente en la patilla puerta.

De la siguiente red calcula Ic, VE, VCC, VCE, VB y R1.

Del siguiente circuito determine RE y RB si  Av=-10 y re= 3.8 ohms. Asuma que Zb= (beta)(RE). 

Este transistor no tiene canal entre drenaje y fuente, lo que tiene es un sustrato con una delgadísima capa de dióxido de silicio (SiO2), que funciona como aislante. Según las cargas entre el sustrato y la compuerta se creará un canal que permitirá el paso de la corriente. Existen en tipo enriquecimiento y empobrecimiento.