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CC - P1 - Promo 2029
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Nous voulons doper le silicium pour augmenter sa conductivité jusqu'à σ = 1000 S.m
Données : μn = 0,14 m et e = 1,6×10
Le silicium non dopé est un semi-conducteur intrinsèque avec ni = 10
On ajoute Nd = 4 ×10
15 cm-3d'atomes de
dopant N pour augmenter sa conductivité, à température constante. Calculez
la concentration des trous p.
Dans une diode PN, le potentiel de jonction est de 0,6 V. Calculez le champ électrique moyen E à l'intérieur de la jonction. Prendre comme largeur de la zone de charges d’espace : W
À quelle porte logique ce schéma correspond-il ?
Dans une diode, le champ électrique moyen est E = 4,0 ×10 dans une zone de charges d’espace de largeur W = 2,0 mm. La différence de potentiel entre les régions P et N est la suivante :
Une jonction PN, lorsqu'elle est polarisée, laisse circuler le courant si :
Pour un semi-conducteur de type N, le niveau de Fermi est de :
Considérons une jonction PN
By running the following program, how many times is the string "hello" displayed?
#include <stdio.h>
int main() {
for (int i = 1; i < 5;) {
printf("hello\n");
i++;
}
return 0;
}
We want to write a swap_array function that swaps the values of the elements at indices i and j of an array t (we assume that i and j are valid indices). Among the following definitions, which one is the correct implementation of the swap function ?