Crowdly

Add to Chrome

Universities
moodle.rwth-aachen.de
Elektrotechnisches Praktikum 2 (PR) [25ws-61.54655]

Elektrotechnisches Praktikum 2 (PR) [25ws-61.54655]

Looking for Elektrotechnisches Praktikum 2 (PR) [25ws-61.54655] test answers and solutions? Browse our comprehensive collection of verified answers for Elektrotechnisches Praktikum 2 (PR) [25ws-61.54655] at moodle.rwth-aachen.de.

Get instant access to accurate answers and detailed explanations for your course questions. Our community-driven platform helps students succeed!

Was für ein Bauelement ist in der nachfolgenden Abbildung dargestellt?

Bauelement

Eine Leistungsdiode.

Ein Notausschalter, mit dem - in einem Notfall - die Spannungsversorgung eines Elektronik-Labors abgeschaltet werden kann.

Der Ein-/Ausschalter für einen Labortisch.

View this question

Was gilt für die Dotierung des Substrats (Bulk) von MOS-Transistoren?

Substrat des n-Kanal-Transistors: p-dotiert. Substrat des p-Kanal-Transistors: n-dotiert.

Substrat des n-Kanal-Transistors: n-dotiert. Substrat des p-Kanal-Transistors: p-dotiert.

Beide Transistor-Typen haben schwach p-dotiertes Substrat.

View this question

Aus Messungen an einem n-Kanal-Transistor (mit ) wurde das folgende Diagramm konstruiert. Welcher Wert lässt sich daraus für die Proportionalitätskonstante des Transistors bestimmen?

View this question

Welchen Effekt hat das Anlegen einer negativen Bulk-Source-Spannung an einen n-Kanal-Transistor () ?

Es kann, unabhängig von der Gate-Source- und der Drain-Source-Spannung, kein Drainstrom fließen, weil immer beide pn-Übergänge (Source-Bulk und Drain-Bulk) in Sperrrichtung betrieben werden.

hat keinen Einfluss auf das Verhalten des Transistors.

Die Schwellenspannung des Transistors verändert sich gegenüber ihrem Wert bei .

View this question

Was ist bezüglich des Bulk-Potentials eines p-Kanal-Transistors zu beachten?

sollte nicht niedriger als das Source-Potential sein.

Es muss immer sichergestellt sein (d. h. identisches Bulk- und Source-Potential).

sollte nicht höher als das Source-Potential sein.

View this question

Unter welchen Bedingungen gilt für einen p-Kanal-Transistor ?

Wenn gilt.

Wenn der Transistor im Sättigungsbereich ist.

Wenn gilt.

View this question

Welcher qualitative Zusammenhang wird durch die folgende Kennlinie eines

n-Kanal-Transistors dargestellt?

in Abhängigkeit von für

in Abhängigkeit von für

in Abhängigkeit von für

View this question

Wodurch ist der „Triodenbereich“ eines n-Kanal-Transistors gekennzeichnet (es gilt )?

und .

.

und .

View this question

Kann bei „Akkumulation“ in einem MOS-Transistor ein nennenswerter Strom von Drain nach Source fließen?

Ja, da sich unter dem Gateoxid eine hohe Konzentration an Majoritätsladungsträgern bildet.

Ja, da sich unter dem Gateoxid eine hohe Konzentration an Minoritätsladungsträgern bildet.

Nein, da sich zwischen Drain und Source mindestens ein sperrender pn-Übergang befindet.

View this question

Was geschieht, wenn bei einem n-Kanal-Transistor die Drain-Source-Spannung über die Sättigungsspannung hinaus erhöht wird ( mit ) ?

Aufgrund der Kanalabschnürung sperrt der Transistor.

Der Drainstrom bleibt bei einer weiteren Erhöhung von nahezu konstant (für ).

Der Drainstrom steigt nur noch linear mit .

View this question

Previous
1
6
7
8
9
Next

Want instant access to all verified answers on moodle.rwth-aachen.de?

Get Unlimited Answers To Exam Questions - Install Crowdly Extension Now!

Add to Chrome

Telegram Instagram TikTok Question Bank

Terms of Use Contact Us

Add to Chrome

Add to Chrome