Всі варіанти вірні.

ВАХ транзистора із спільною базою.

ВАХ транзистора із спільним емітером.

Зона в якій утворюється запірний шар

Зона об’ємного заряду

Зона проходження електричного струму

Центральний – колектор, зовнішній лівий – база, зовнішній правий – емітор.

Центральний – емітор, зовнішній лівий – емітер, зовнішній правий – база.

Центральний – база, зовнішній лівий – емітер, зовнішній правий – колектор.

При зростанні температури опір збільшується.

При зростанні температури опір залишається не змінний.

При зростанні температури опір зменшується.

задається фіксоване значення напруги між деякими його електродами або струм в одному з кіл, і знаходяться відповідні їм значення струму у другому колі або напруги між іншими електродами.

значення сили струму та напруги не змінюється з часом.

задається фіксоване значення сили струму між деякими його електродами або напруги в одному з кіл, і знаходяться відповідні їм значення струму у другому колі або напруги між іншими електродами.

транзистор принцип дії якого базується на використанні носіїв заряду лише одного знаку (електронів або дірок).

транзистор принцип дії якого базується на використанні носіїв заряду тришарової структури.

транзистор принцип дії якого базується на використанні носіїв заряду електронів та дірок.

Режим насичення, режим відтинання, активний режим, ключовий режим

Режим насичення, режим відтинання, активний режим

Режим відтинання, ключовий режим, режим насичення, режим холостого ходу

Залежність опору напівпровідника від сили струму

Залежність напруги від сили струму

Залежність опору напівпровідника від напруги 

Що струм у напівпровіднику протікає в обох напрямках.

Що при прямому вмиканні його опір значний, а при зворотному – малий.

Що при прямому вмиканні його опір малий, а при зворотному – значний.

Твердження у відповідях А) та С) вірні.

Тиристор більш стійкий до перевантажень але мають досить вузький діапазон робочих частот.

Тиристори мають істотно більший коефіцієнт підсилення за потужністю.

Теристори не мають переваг над транзистором, вони мають ідентичні ВАХ.