Укажите формулу для расчета крутизны биполярного транзистора S в схеме ОЭ:

Каким образом в структуре n-p-n-транзистора минимизируются потери электронов на их рекомбинацию с дырками в базе?

Укажите, какие из участков приведенной на рисунке передаточной характеристики усилительного каскада соответствует режиму отсечки биполярного транзистора:

Укажите изображение p-n-p-транзистора:

Укажите формулу для статического интегрального коэффициента передачи тока базы β:

Какие электроды являются соответственно входным и выходным при включении транзистора с общим эмиттером (ОЭ)?

За счет чего ток, протекающий в цепи коллектора n-p-n-транзистора в активном режиме, управляется напряжением, приложенным к эмиттерному переходу?

Укажите схему, соответствующую включению транзистора с общим эмиттером (ОЭ):

Укажите формулу для выходного напряжения U_КЭ в приведенной на рисунке схеме простейшего усилительного каскада на n-p-n-транзисторе, включенном по схеме ОЭ:

В каком из электродов биполярного транзистора самая высокая концентрация примеси?