Crowdly
Add to Chrome
Прилади на основі МОН-структур в мікро- і наноелектроніці [06463]
Looking for Прилади на основі МОН-структур в мікро- і наноелектроніці [06463] test answers and solutions? Browse our comprehensive collection of verified answers for Прилади на основі МОН-структур в мікро- і наноелектроніці [06463] at vns.lpnu.ua.
Get instant access to accurate answers and detailed explanations for your course questions. Our community-driven platform helps students succeed!
При записі інформації в МОН-транзисторах з плаваючим затвором ...
Механізм нагромадження заряду в плаваючому затворі пов'язаний з дрейфом та інжекцією "гарячих" електронів через діелектрик в електричному полі, створеним напругою на керуючому затворі.
МНОН-транзистори це:
Інформація в елементах пам’яті на МОН-транзисторах стирається:
Основний недолік напівпровідникових елементів пам’яті (діодів, біполярних транзисторів)полягаєу:
У тривимірних приладах протяжна область стоку, яку ще називають дрейфовою областю, розташована горизонтально.