Хімічно чисті напівпровідники при Т=0 К.

Хімічно чисті напівпровідники при Т>0 К..

Напівпровідники, які містять акцепторні домішки.

Напівпровідники, які містять донорні домішки.

Повністю вільна від електронів.

Частково заповнена електронами.

Повністю вільна від електронів або ч

астково

заповнена електронами.

Повністю

заповнена електронами.

Електронами і іонами.

Іонами і дірками.

Електронами і дірками.

Негативними і позитивними іонами.

Зменшується.

Спочатку збільшується, а потім зменшується.

Збільшується.

10^-18 еВ

10^-22 еВ

10^-2 еВ

10^-10 еВ

Частково заповнена електронами.

Вільна від електронів.

Повністю заповнена електронами.

Утворена з енергетичних рівнів зовнішніх електронів ізольованих атомів.

Оксид алюмінію  (ΔЕ =7 еВ)

Нітрид бору (ΔЕ = 4,6 еВ)

Алмаз (ΔЕ = 5,2 еВ)

Кремній  (ΔЕ =1,08 еВ)

Наявністю донорних рівнів.

Збудження шляхом опромінювання світлом.

Наявністю акцепторних рівнів.

n > p

n < p

n = p

n > > p

На одиницю більша, ніж валентність основного атома.

На одиницю менша, ніж валентність основного атома.

Валентність домішки повинна дорівнювати валентності основних атомів.

На дві одиниці більша, ніж валентність основного поля.