Num transistor bipolar de junções o módulo da tensão de disrupção da junção base-coletor é maior que o módulo da tensão de disrupção da junção base-emissor porque a concentração de impurezas no coletor é maior que a concentração de impurezas no emissor

Uma mudança da tensão da junção base emissor, U_BE ,de um transístor npn faz a zona de funcionamento passar da zona ativa direta para a zona de saturação, ou seja a tensão U_BE aumentou.

Uma mudança da tensão da junção base emissor, U_BE ,de um transístor npn faz a zona de funcionamento passar da zona ativa direta para a zona de saturação ou seja a tensão U_BE diminuiu.