O circuito da figura é constituído por um transístor bipolar de junção NPN com ganho de corrente β = 20, condensadores, resistências fonte de tensão DC (VCC) e fonte de sinal em tensão vi. Considere R1, R2, R4, R5, VCC, os condensadores têm valores de capacidade elevados, VBE_on=0.7 V, VCE_sat=0.2V e que a tensão térmica VT = 25.7 mV.
As correntes de base, coletor e de emissor são designadas em DC por IB, IC e IE, respectivamente.
Assumindo que o transístor se encontra na zona de saturação com VCE_sat, selecione a expressão de IC em função de IB, na análise DC.

Question

O circuito da figura é constituído por um transístor bipolar de junção NPN com ganho de corrente β = 20, condensadores, resistências fonte de tensão DC (VCC) e fonte de sinal em tensão vi. Considere R1, R2, R4, R5, VCC, os condensadores têm valores de capacidade elevados, VBE_on=0.7 V, VCE_sat=0.2V e que a tensão térmica VT = 25.7 mV.

As correntes de base, coletor e de emissor são designadas em DC por IB, IC e IE, respectivamente.

Assumindo que o transístor se encontra na zona de saturação com VCE_sat, selecione a expressão de IC em função de IB, na análise DC.

Accepted Answer

IC=  \frac{R2*IB+0.5}{R1}

Answer

IC= \frac{R2*IB+0.5}{R1+ (\beta+1) 	imes R5 }

Answer

IC=\frac{R1*IB+0.5}{R2+ (\beta+1) 	imes R5}

Answer

IC= \frac{R1*IB+0.5}{R2}

Answer

Nenhuma das restantes opções.

Answer

IC = \frac {R1*IB+0.5+R2}{R2+ (\beta+1) 	imes R4}

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O circuito da figura é constituído por um transístor bipolar de junção NPN com ...

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