ґрунтується на явищі фотоефекту

базується на зміні опору напівпровідникового матеріалу при зміні температури

немає вірної відповіді

засновано на залежності електричної ємкості конденсатора від розмірів і взаємного розташування його пластин (електродів), а також від діелектричної проникності середовища між ними

засновано на явищі тензоефекту, що полягає в зміні активного опору провідникових і напівпровідникових матеріалів при їх механічній деформації