З вхідної характеристики біполярного транзистора з ізольованим затвором (анг. IG...

✅ The verified answer to this question is available below. Our community-reviewed solutions help you understand the material better.

З вхідної характеристики біполярного транзистора з ізольованим затвором (анг. IGBT – Isolated Gate Bipolar Transistor) видно, що для його вікривання необхідно:

позитивну напругу Uзе=10 V

0%

негативну напругу Ucs=10 V

0%

позитивну напругу Ucs=0 V

0%

позитивну напругу Uзе=1 V

0%

позитивну напругу Ucs=5 V

0%

Want instant access to all verified answers on exam.nuwm.edu.ua?

Get Unlimited Answers To Exam Questions - Install Crowdly Extension Now!

Add to Chrome