Num transístor MOS, onde U_GS>V_t , a corrente do dreno para a fonte, i_D, é essencialmente devida à difusão de eletrões e buracos

Um transístor MOS pode estar simultaneamente na região de saturação e na região de não-saturação

Num transístor MOS os eletrões e buracos têm, em simultâneo, uma contribuição importante para a corrente i_D 

Num transístor MOS de reforço canal p, a operar na região de saturação, U_GS<V_t<0 V