Num semicondutor intrínseco as densidade de eletrões e buracos podem ser diferentes mas o seu produto é igual ao quadrado da densidade intrínseca n_i 

Num semicondutor tipo p a densidade de buracos é menor que a densidade intrínseca de portadores 

Numa resistência de silício extrínseco a sua condutividade varia pouco com a temperatura para valores próximos de 300k. Para temperaturas altas ou para temperaturas menores que T150K a condutividade varia exponencialmente com a temperatura