транзистор принцип дії якого базується на використанні носіїв заряду лише одного знаку (електронів або дірок).

транзистор принцип дії якого базується на використанні носіїв заряду тришарової структури.

транзистор принцип дії якого базується на використанні носіїв заряду електронів та дірок.

Режим насичення, режим відтинання, активний режим, ключовий режим

Режим насичення, режим відтинання, активний режим

Режим відтинання, ключовий режим, режим насичення, режим холостого ходу

Залежність опору напівпровідника від сили струму

Залежність напруги від сили струму

Залежність опору напівпровідника від напруги 

Що струм у напівпровіднику протікає в обох напрямках.

Що при прямому вмиканні його опір значний, а при зворотному – малий.

Що при прямому вмиканні його опір малий, а при зворотному – значний.

Твердження у відповідях А) та С) вірні.

Тиристор більш стійкий до перевантажень але мають досить вузький діапазон робочих частот.

Тиристори мають істотно більший коефіцієнт підсилення за потужністю.

Теристори не мають переваг над транзистором, вони мають ідентичні ВАХ.

Того що p-n переходи в ньому не залежні.

Того що p-n переходи в ньому з’єднані послідовно.

Того що p-n переходи в ньому з’єднані паралельно.

Подачею короткострокового імпульсу на керуючий електрод створюючи примусову комутацію.

Подачею короткострокового імпульсу на керуючий анод чим спричиняє відкриття р-n переходу.

Припиненням подачі постійного сигналу на керуючий електрод створюючи примусову комутацію.

НП діод, на якому напруга у зоні електричного пробою майже не залежить від струму.

НП діод, на якому напруга у зоні електричного пробою оберненопропорційно залежить від струму.

НП діод, на якому напруга у зоні електричного пробою прямопропорційно залежить від струму.

Діод, у яких використовується не p-n перехід, а перехід між напівпровідником і металом.

Діод, у яких використовується не p-n перехід, а p-перехід.

Діод, у яких використовується не p-n перехід, а перехід між n-p шарами.