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Conforme a la hoja de característica, para el diodo 1N4003 el valor cuadrático medio de la tensión inversa de pico medida en el SI de unidades vale
La ecuación del diodo de Shockley o la ley del diodo, da la curva característica de la intensidad que circula por el diodo como función de la diferencia de potencial entre los extremos del diodo, sólo en polarización inversa, para un diodo idealizado.
Determinar la tensión entre los extremos del diodo, para un diodo de silicio, para un valor de la corriente inversa de saturación de , para una temperatura de ºC, para un valor de la tensión en el generador variable de V y para una resistencia de . Expresar la medida con seis decimales, en unidades del S.I. Tomar el potencial térmico con siete decimales.
Ayuda: Consultar el enlace.
La ecuación del diodo de Shockley o la ley del diodo, da la curva característica de la intensidad que circula por el diodo como función de la diferencia de potencial entre los extremos del diodo, sólo en polarización directa, para un diodo idealizado.
Para que un diodo esté polarizado inversamente, se debe conectar:
El potencial térmico de la ecuación de Shockley a temperatura (5ºC), medido en el S.I de unidades vale, expresado con cinco decimales como:
Conforme a la hoja de característica, para el diodo 1N4003 la tensión inversa repetitiva de pico medida en el SI de unidades vale
Considerar el circuito mostrado en la figura.
La ecuación de diodo de Shockley establece que:
.
Para un diodo de germanio el coeficiente de emisión de la ecuación de Shockley vale
El potencial térmico de la ecuación de Shockley a temperatura (30ºC), medido en el S.I de unidades vale, expresado con cinco decimales como:
La ecuación del diodo de Shockley o la ley del diodo, da la curva característica de la intensidad que circula por el diodo como función de la diferencia de potencial entre los extremos del diodo, tanto en polarización directa como polarización inversa, para un diodo idealizado.