Crowdly

A (kimeneti) offszet a gerjesztetlen bemenet esetén a kimeneti jel értéke.

Lineáris

Az érzékenység a transzfer karakterisztika adott pontban vett meredeksége (deriváltja)

Mi igaz pn átmenet (dióda) hőmérsékletfüggésére?

Adott nyitóirányú áram mellett a pn átmenet feszültsége kb. 2mV-ot nő 1°C hőmérséketnövekedés hatására.

Adott nyitó feszültség mellett a pn átmenet árama kb. 2mA-t csökken 1°C hőmérséketnövekedés hatására.

Lehetővé teszi, hogy megmérhessük a chip belső hőmérsékletét közvetlenül.

Széles hőmérséklettartományban lineárisnak tekinthető.

Mi igaz a megadott egyenlettel modellezett feszültségkimenetű hőmérsékletmérő szenzor transzfer karakterisztikájára? (a hőmérséklet Celsius fokban értendő)

Az offszet 0,7V

Nagyobb feszültséghez magasabb hőmérséklet tartozik.

Az érzékenység abszolút értéke 2mV/°C

A szenzor nemlineáris

Melyek az intelligens szenzorokkal szemben elvárt legfontosabb követelmények?

Egyedi beállíthatóság

Tömeggyárthatóság

Lehetőség szerint minimális külső alkatrész.

Hőmérsékletfüggetlenség

Mi a fő különbség a CCD illetve a CMOS (APS) képérzékelők között?

CMOS esetben a kiolvasás gyorsabb.

A CMOS (APS) érzékelő könnyebben gyártható, mivel ugyanazzal a technológiával készül mint az integrált áramkör.

A CCD a félvezetőkben fény hatására történő generáció jelenségén alapul, míg a CMOS érzékelő tranzisztorokból áll.

CCD esetén a teljes rendszert egy chipre tudják integrálni.

Mi lesz a bitvonalak logikai értéke, ha a WL[2] szóvonalat aktiváltuk? A választ egy négyjegyű, kettes számrendszerbeli számként adja meg, BL[0]..BL[3] sorrendben, pl. 0101.

Feltételezzük, hogy egy DRAM cella tárolókapacitása 40fF, a

teljesen feltöltött kapacitás feszültsége 1.5V. Mennyi idő alatt csökken

a tárolókapacitás feszültsége a felére, ha a cella szivárgási árama 0.6pA?

A választ ms mértékegységben adja meg!

Feltételezzük, hogy egy DRAM cella tárolókapacitása 50fF, a

teljesen feltöltött kapacitás feszültsége 1.5V. Hány elektron van

a kapacitásban? Az elektron töltése

Mi lesz a bitvonalak logikai értéke, ha a WL[2] szóvonalhoz tartozó elemi cellákat szeretnénk kiolvasni? A választ egy négyjegyű, kettes számrendszerbeli számként adja meg, BL[0]..BL[3] sorrendben, pl. 1100.

Feltételezzük, hogy egy DRAM cella tárolókapacitása 60fF, a

teljesen feltöltött kapacitás feszültsége 1.6V. Mennyi idő alatt csökken

a tárolókapacitás feszültsége a felére, ha a cella szivárgási árama 0.4pA?

A választ ms mértékegységben adja meg!