Crowdly

Додати до Chrome

Університети
learning.monash.edu
ECE3161 Analogue Electronics - MUM S2 2025

ECE3161 Analogue Electronics - MUM S2 2025

Шукаєте відповіді та рішення тестів для ECE3161 Analogue Electronics - MUM S2 2025 ? Перегляньте нашу велику колекцію перевірених відповідей для ECE3161 Analogue Electronics - MUM S2 2025 в learning.monash.edu.

Отримайте миттєвий доступ до точних відповідей та детальних пояснень для питань вашого курсу. Наша платформа, створена спільнотою, допомагає студентам досягати успіху!

Q1. Find the small signal gain and input impedance

For the biased transistor below, find the small signal gain v_o/v_i and the input impedance Z_i. Take $V_{T}=26 mV$ V_{T}=26 mV

Gain = - 368.8 , $Z_i = 1347 \Omega$ Z_i = 1347 \Omega

Gain = -236.8 , $Z_i = 547 \Omega$ Z_i = 547 \Omega

Gain = 236.8 , $Z_i = 547 \Omega$ Z_i = 547 \Omega

Gain = 368.8 , $Z_i = 1347 \Omega$ Z_i = 1347 \Omega

Gain = 368.8 , $Z_i = 547 \Omega$ Z_i = 547 \Omega

Переглянути це питання

Q10. Find drain current and source voltage

For the circuit given below, find the drain current, I_D and source voltage V_S. Assume that the N channel depletion JFET has $I_{DSS}=15$ I_{DSS}=15 mA , $V_{GS(\text{off)}}=-3$ V_{GS(\text{off)}}=-3 V and $\lambda=0$ \lambda=0.

I_D = 2.58 mA , V_S = 0.56 V

I_D = 2.58 mA , V_S = 1.76 V

I_D = 2.78 mA , V_S = 1.76 V

I_D = 2.58 mA , V_S = -0.56 V

I_D = 2.78 mA , V_S = -1.76 V

Переглянути це питання

Q9 . Find drain current

For the N channel depletion JFET given below, find the drain current, I_D. Assume that the N channel depletion JFET has $I_{DSS}=10$ I_{DSS}=10 mA and $V_{GS(\text{off)}}=-4$ V_{GS(\text{off)}}=-4 V, $\lambda=0$ \lambda=0 .

I_D = 2.09 mA

I_D = 0.99 mA

I_D = 2.29 mA

I_D = 3.29 mA

I_D = 1.19 mA

Переглянути це питання

Q7. Find the source and drain resistances, and drain current

Find R_D, R_S, I_d for the NMOS with k_n=4 mA/V², V_t=0.4 V, and $\lambda = 0$ \lambda = 0.

$R_D = 25 \text{k}\Omega$ R_D = 25 \text{k}\Omega, $R_S = 10 \text{k}\Omega$ R_S = 10 \text{k}\Omega, I_d = -0.045 mA

$R_D = 20 \text{k}\Omega$ R_D = 20 \text{k}\Omega, $R_S = 10 \text{k}\Omega$ R_S = 10 \text{k}\Omega, I_d = 0.045 mA

$R_D = 20 \text{k}\Omega$ R_D = 20 \text{k}\Omega, $R_S = 20 \text{k}\Omega$ R_S = 20 \text{k}\Omega, I_d = 0.145 mA

$R_D = 10 \text{k}\Omega$ R_D = 10 \text{k}\Omega, $R_S = 10 \text{k}\Omega$ R_S = 10 \text{k}\Omega, I_d = 0.145 mA

$R_D = 10 \text{k}\Omega$ R_D = 10 \text{k}\Omega, $R_S = 10 \text{k}\Omega$ R_S = 10 \text{k}\Omega, I_d = 0.045 mA

Переглянути це питання

Q8. Find Drain and Gate Resistances

Find R_D, R_G, if the NMOS in the setup below carries 8 mA drain current. The NMOS was characterized separately so that it carried 5 mA current when biased with $V_{GS}=4$ V_{GS}=4 V. The NMOS has a threshold voltage of 2.5 V and its $\lambda = 0$ \lambda = 0.

$R_D = 1.85 \text{k}\Omega$ R_D = 1.85 \text{k}\Omega , R_G can take any value

$R_D = 0.89 \text{k}\Omega$ R_D = 0.89 \text{k}\Omega , R_G can take any value

$R_D = 1.95 \text{k}\Omega$ R_D = 1.95 \text{k}\Omega , $R_G = 2.2 \text{k}\Omega$ R_G = 2.2 \text{k}\Omega

$R_D = 1.85 \text{k}\Omega$ R_D = 1.85 \text{k}\Omega , $R_G = 2.9 \text{k}\Omega$ R_G = 2.9 \text{k}\Omega

$R_D = 1.95 \text{k}\Omega$ R_D = 1.95 \text{k}\Omega , R_G can take any value

Переглянути це питання

Q4. Find the voltage

Assuming both transistors are active and each has $\beta=100$ \beta=100, find the voltage V_B.

$V_{B} = 9.03$ V_{B} = 9.03 V

$V_{B} = 5.13$ V_{B} = 5.13 V

$V_{B} = 3.53$ V_{B} = 3.53 V

$V_{B} = 2.93$ V_{B} = 2.93 V

$V_{B} = 4.73$ V_{B} = 4.73 V

Переглянути це питання

Q4. Find the voltages

For the two transistor circuit given , find voltages $V_{b1}$ V_{b1} and V_e assuming both transistors are active and their transistor $\beta$ \beta values are extremely high.

$V_{b1} = -0.7$ V_{b1} = -0.7 V, $V_{e} = -1.4$ V_{e} = -1.4 V

$V_{b1} = -0.8$ V_{b1} = -0.8 V, $V_{e} = -0.4$ V_{e} = -0.4 V

$V_{b1} = 0.7$ V_{b1} = 0.7 V, $V_{e} = 2.4$ V_{e} = 2.4 V

$V_{b1} = 0.8$ V_{b1} = 0.8 V, $V_{e} = -1.4$ V_{e} = -1.4 V

$V_{b1} = 0.7$ V_{b1} = 0.7 V, $V_{e} = -2.4$ V_{e} = -2.4 V

Переглянути це питання

Q6. Find the drain voltage

Find the drain voltage V_D of the NMOS with k_n=10 mA/V², V_t=0.5 V, and $\lambda = 0$ \lambda = 0.

$V_{D} = 2.9$ V_{D} = 2.9 V

$V_{D} = 2.3$ V_{D} = 2.3 V

$V_{D} = 1.5$ V_{D} = 1.5 V

$V_{D} = 1.8$ V_{D} = 1.8 V

$V_{D} = 2.5$ V_{D} = 2.5 V

Переглянути це питання

Q3. Find the base bias voltage

If the NPN transistor below is at the edge of saturation, what would be the bias voltage $V_{BB}$ V_{BB}.

$V_{BB} = 1.34$ V_{BB} = 1.34 V

$V_{BB} = 0.24$ V_{BB} = 0.24 V

$V_{BB} = 1.64$ V_{BB} = 1.64 V

$V_{BB} = 2.34$ V_{BB} = 2.34 V

$V_{BB} = -1.34$ V_{BB} = -1.34 V

Переглянути це питання

Q2. Find the emitter resistance

Find emitter resistance R_E of the PNP bias circuit below.

$R_E = 0.97 \text{m}\Omega$ R_E = 0.97 \text{m}\Omega

$R_E = 4.47 \text{k}\Omega$ R_E = 4.47 \text{k}\Omega

$R_E = 1.87 \text{k}\Omega$ R_E = 1.87 \text{k}\Omega

$R_E = 287 \Omega$ R_E = 287 \Omega

$R_E = 1.37 \text{k}\Omega$ R_E = 1.37 \text{k}\Omega

Переглянути це питання

Попередня
1
7
8
9
30
Наступна

Хочете миттєвий доступ до всіх перевірених відповідей на learning.monash.edu?

Отримайте необмежений доступ до відповідей на екзаменаційні питання - встановіть розширення Crowdly зараз!

Додати до Chrome

Telegram Instagram TikTok Question Bank

Умови використання Зв'яжіться з нами

Додати до Chrome

Додати до Chrome