Схема ввімкнення приладів на рис. a) придатна для дослідження таких гілок ВАХ стабілітрона:

ВАХ оберненого діода зображено на:

Контактна різниця потенціалів Фконт для ЕДП це:

Для стабістора:

На рис. b) зображена схема для дослідження:

Для напівпровідникових діодів ТКН складає:

Схема ввімкнення приладів на рис. b) придатна для дослідження таких гілок ВАХ стабілітрона:

Зонна модель стабістора у робочому стані зображена на рисунку: