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Elektrotechnisches Praktikum 2 (PR) [25ws-61.54655]

Elektrotechnisches Praktikum 2 (PR) [25ws-61.54655]

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Was für ein Bauelement ist in der nachfolgenden Abbildung dargestellt?

Bauelement

Eine Leistungsdiode.

Ein Notausschalter, mit dem - in einem Notfall - die Spannungsversorgung eines Elektronik-Labors abgeschaltet werden kann.

Der Ein-/Ausschalter für einen Labortisch.

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Was gilt für die Dotierung des Substrats (Bulk) von MOS-Transistoren?

Substrat des n-Kanal-Transistors: p-dotiert. Substrat des p-Kanal-Transistors: n-dotiert.

Substrat des n-Kanal-Transistors: n-dotiert. Substrat des p-Kanal-Transistors: p-dotiert.

Beide Transistor-Typen haben schwach p-dotiertes Substrat.

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Aus Messungen an einem n-Kanal-Transistor (mit ) wurde das folgende Diagramm konstruiert. Welcher Wert lässt sich daraus für die Proportionalitätskonstante des Transistors bestimmen?

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Welchen Effekt hat das Anlegen einer negativen Bulk-Source-Spannung an einen n-Kanal-Transistor () ?

Es kann, unabhängig von der Gate-Source- und der Drain-Source-Spannung, kein Drainstrom fließen, weil immer beide pn-Übergänge (Source-Bulk und Drain-Bulk) in Sperrrichtung betrieben werden.

hat keinen Einfluss auf das Verhalten des Transistors.

Die Schwellenspannung des Transistors verändert sich gegenüber ihrem Wert bei .

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Was ist bezüglich des Bulk-Potentials eines p-Kanal-Transistors zu beachten?

sollte nicht niedriger als das Source-Potential sein.

Es muss immer sichergestellt sein (d. h. identisches Bulk- und Source-Potential).

sollte nicht höher als das Source-Potential sein.

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Unter welchen Bedingungen gilt für einen p-Kanal-Transistor ?

Wenn gilt.

Wenn der Transistor im Sättigungsbereich ist.

Wenn gilt.

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Welcher qualitative Zusammenhang wird durch die folgende Kennlinie eines

n-Kanal-Transistors dargestellt?

in Abhängigkeit von für

in Abhängigkeit von für

in Abhängigkeit von für

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Wodurch ist der „Triodenbereich“ eines n-Kanal-Transistors gekennzeichnet (es gilt )?

und .

.

und .

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Kann bei „Akkumulation“ in einem MOS-Transistor ein nennenswerter Strom von Drain nach Source fließen?

Ja, da sich unter dem Gateoxid eine hohe Konzentration an Majoritätsladungsträgern bildet.

Ja, da sich unter dem Gateoxid eine hohe Konzentration an Minoritätsladungsträgern bildet.

Nein, da sich zwischen Drain und Source mindestens ein sperrender pn-Übergang befindet.

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Was geschieht, wenn bei einem n-Kanal-Transistor die Drain-Source-Spannung über die Sättigungsspannung hinaus erhöht wird ( mit ) ?

Aufgrund der Kanalabschnürung sperrt der Transistor.

Der Drainstrom bleibt bei einer weiteren Erhöhung von nahezu konstant (für ).

Der Drainstrom steigt nur noch linear mit .

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