Num transistor bipolar de junções o módulo da tensão de disrupção da junção base-coletor é maior que o módulo da tensão de disrupção da junção base-emissor porque a concentração de impurezas no coletor é maior que a concentração de impurezas no emissor

Uma mudança da tensão da junção base emissor, U_BE ,de um transístor npn faz a zona de funcionamento passar da zona ativa direta para a zona de saturação, ou seja a tensão U_BE aumentou.

Uma mudança da tensão da junção base emissor, U_BE ,de um transístor npn faz a zona de funcionamento passar da zona ativa direta para a zona de saturação ou seja a tensão U_BE diminuiu.

Num semicondutor intrínseco as densidade de eletrões e buracos podem ser diferentes mas o seu produto é igual ao quadrado da densidade intrínseca n_i 

Num semicondutor tipo p a densidade de buracos é menor que a densidade intrínseca de portadores 

Numa resistência de silício extrínseco a sua condutividade varia pouco com a temperatura para valores próximos de 300k. Para temperaturas altas ou para temperaturas menores que T150K a condutividade varia exponencialmente com a temperatura

Num transístor MOS, onde U_GS>V_t , a corrente do dreno para a fonte, i_D, é essencialmente devida à difusão de eletrões e buracos

Um transístor MOS pode estar simultaneamente na região de saturação e na região de não-saturação

Num transístor MOS os eletrões e buracos têm, em simultâneo, uma contribuição importante para a corrente i_D 

Num transístor MOS de reforço canal p, a operar na região de saturação, U_GS<V_t<0 V

A corrente de portadores minoritários depende da tensão aplicada.

A polarização direta não influencia a altura da barreira de potencial da junção pn porque não afeta a diferença de potencial de contacto V_CO.

Em polarização inversa a largura da região de transição não depende da tensão aplicada.

O campo elétrico na região de transição está dirigido da região tipo p para a região tipo n.

As curvas I_D - U_GS na figura (a) são de um transístor MOS de depleção canal n e a da figura (c) de um transístor MOS de reforço de canal p.

As curvas I_D - U_GS na figura (a) são de um transístor MOS de reforço canal n e a da figura (c) de um transístor MOS de depleção de canal n.

As curvas I_D - U_GS na figura (a) são de um transístor MOS de reforço canal p e a da figura (b) de um transístor MOS de depleção de canal n.

As curvas I_D - U_GS na figura (a) são de um transístor MOS de reforço canal n e a da figura (b) de um transístor MOS de depleção de canal p.

Na figura (b) representa-se a montagem de fonte comum.

Na figura (a) representa-se a montagem de dreno comum. 

Na figura (b) tem-se a montagem de porta comum e na figura (c) a montagem de dreno comum.

Na figura (a) tem-se a montagem de fonte comum e na (c) a montagem de porta comum.

A montagem de fonte comum tem um ganho de tensão menor que 1, a montagem de fonte comum tem uma resistência de entrada menor que a de porta comum e a montagem de dreno comum tem um ganho de tensão menor que o da montagem de porta comum

A montagem de dreno comum tem um ganho de tensão menor que 1, a montagem de fonte comum tem uma resistência de entrada maior que a de dreno comum e a montagem de dreno comum tem um ganho de tensão igual ao da montagem de porta comum. 

A montagem de fonte comum tem uma resistência de entrada menor que a de porta comum e a montagem de dreno comum tem uma resistência de saída menor que a montagem de porta comum.

Se a temperatura de operação aumentar a tensão de limiar V_t aumenta e, mantendo-se u_DS  =4V e u_GS =3,5V, o parâmetro g_m aumenta. 

Se a tensão u_GS no P.F.R. aumentar para 4V g_m aumenta.

Se a temperatura de operação aumentar a tensão de limiar V_t diminui e, mantendo-se u_DS  =4V e u_GS =3,5V, o parãmetro g_m aumenta. 

Se a tensão u_GS no P.F.R. aumentar para 4V g_m aumenta.

Se a temperatura de operação aumentar, a tensão de limiar V_t diminui e, mantendo-se u_DS  =4V e u_GS =3,5V, o parâmetro g_m diminui. 

Se a tensão u_GS no P.F.R. baixar para 3V g_m aumenta.

Se a temperatura de operação aumentar, a tensão de limiar V_t diminui e, mantendo-se u_DS  =4V e u_GS =3,5V, o parãmetro g_m aumenta. 

Se a tensão u_GS no P.F.R. baixar para 3V, g_m aumenta.