в активном режиме

в режиме отсечки

в режиме насыщения

в инверсном режиме

разрыв цепи

короткое замыкание цепи

генератор тока

генератор напряжения

i_K ≈ αI₀

i_K ≈ βI₀

изменение ширины базы и связанное с ним изменение токов во внешних цепях транзистора при изменении обратного напряжения на эмиттерном переходе

изменение ширины базы и связанное с ним изменение токов во внешних цепях транзистора при изменении обратного напряжения на коллекторном переходе

изменение ширины базы и связанное с ним изменение токов во внешних цепях транзистора при изменении прямого напряжения на коллекторном переходе

изменение ширины базы и связанное с ним изменение токов во внешних цепях транзистора при изменении прямого напряжения на эмиттерном переходе

функциональные зависимости, связывающие четыре внешних параметра транзистора (входные и выходные напряжения и токи) в статическом режиме с изменением температуры

функциональные зависимости, связывающие между собой четыре внешних параметра транзистора (входные и выходные напряжения и токи) в статическом режиме

функциональные зависимости, связывающие статические коэффициенты передачи токов с изменением температуры

функциональные зависимости, связывающие статические коэффициенты передачи токов с напряжениями, приложенными к переходам транзистора

потому, что в этом режиме транзистор не подключается к внешним цепям

потому, что в этом режиме практически отсутствуют (отсекаются) токи во внешних цепях транзистора

потому, что в этом режиме к переходам транзистора не прикладываются напряжения

потому, что в этом режиме отсекается ток насыщения транзистора