При записі інформації в МОН-транзисторах з плаваючим затвором ...

Механізм нагромадження заряду в плаваючому затворі пов'язаний з дрейфом та інжекцією "гарячих" електронів через діелектрик в електричному полі, створеним напругою на керуючому затворі.

МНОН-транзистори це:

Інформація в елементах пам’яті на МОН-транзисторах стирається:

Основний недолік напівпровідникових елементів пам’яті (діодів, біполярних транзисторів)полягаєу:

У тривимірних приладах протяжна область стоку, яку ще називають дрейфовою областю, розташована горизонтально.