хімічно чисті напівпровідники при Т

> 0 К;

напівпровідники, що містять акцепторні

домішки;

хімічно чисті напівпровідники при Т

=

0 К;

напівпровідники, що містять

донорні домішки;

нагрівання

напівпровідника;

опромінення напівпровідника

рентгенівським промінням;

існування в

атомах напівпровідника донорних рівнів енергії;

нітрид бору (Е

=

4,6 еВ);

кремній (Е

= 1,08

еВ);

Al₂O₃ (Е

= 7 еВ);

алмаз (Е = 5,2 еВ);

хімічно чисті при

абсолютному нулі;

ті, що

містять донорні домішки;

хімічно

чисті при

ті, що

містять акцепторні домішки;

бути на

одну одиницю більша за валентність основних атомів;

бути на дві одиниці менша за

валентність основних атомів;

бути на одиницю менша за валентність

основних атомів;

дорівнювати валентності

основних атомів;

Валентність домішки повинна дорівнювати

валентності основних атомів.

На дві одиниці менша, ніж валентність основних

атомів.

На одиницю менша, ніж валентність основних

атомів.

На одну одиницю більша, ніж валентність

основних атомів

енергетичний

рівень, що відповідає середині потенціальної ями;

найвищий

енергетичний рівень, зайнятий електронами при

найнижчий енергетичний

рівень, зайнятий електронами;

найвищий

енергетичний рівень, зайнятий електронами при

Хемілюмінесценції.

Катодолюмінесценції.

Електролюмінесценції.

Фотолюмінесценції.

Наявністю акцепторних рівнів.

Наявністю донорних рівнів.

Збудження шляхом опромінювання світлом.

Збудження шляхом нагрівання.

електрони;

дірки;

негативні йони;    

позитивні йони;