бути на одну

одиницю більша за валентність основних атомів;

бути на одиницю

менша за валентність основних атомів;

дорівнювати

валентності основних атомів;

бути на дві

одиниці менша за валентність основних атомів;

наявністю донорних рівнів;

наявністю акцепторних

рівнів;

збудженням  під час нагрівання чи опромінення світлом;

прикладанням зовнішнього

магнітного поля;

Вільна від електронів.

Утворена з енергетичних рівнів зовнішніх

електронів ізольованих атомів.

Повністю заповнена

електронами.

Частково заповнена електронами.

4

3

1

2

германій (Е

= 0,66

еВ);

кремній (Е

= 1,08

еВ);

алмаз (Е

= 5,2 еВ);

арсенід галію (Е

=

1,43 еВ);

Наявність домішкових рівнів

активатора.

Наявність заповнених рівнів поблизу дна зони

провідності.

Наявність незаповнених рівнів поблизу

верхнього краю валентної зони.

Наявність ненаповнених локальних рівнів

поблизу дна зони провідності.

Хімічних перетворень

всередині тіла.

Удари електронів.

Світлового випромінювання.

Електричні розряди.

повністю заповнена

електронами;

вільна від протонів;

вільна від електронів або частково

заповнена електронами;

утворена з енергетичних

рівнів зовнішніх електронів ізольованих атомів;

Від середини потенціальної ями.

Від рівня Фермі.

Від дна потенціальної ями.

Від верхнього краю потенціальної ями.