внаслідок виникнення додаткових зарядів від поглинання енергії випромінювання

внаслідок підігрівання кристалів напівпровідника енергією сонця

внаслідок приєднання напівровідникових елементів до напруги стороннього джерела живлення

внаслідок переміщення кристалів кремнію у напівпровідниковій структурі

внаслідок емісії електронів з кристала напівпровідника