Додати до Chrome
✅ Перевірена відповідь на це питання доступна нижче. Наші рішення, перевірені спільнотою, допомагають краще зрозуміти матеріал.
При програмуванні пам'яті типу Flash здійснюється процедура
витіснення заряду з-під затвора транзистора
збільшення концентрації електронів в напівпровіднику
внесення заряду під затвор транзистора
створення індукованого каналу в транзисторі
Отримайте необмежений доступ до відповідей на екзаменаційні питання - встановіть розширення Crowdly зараз!