In Falstad gibt es keinen algebraischen Zusammenhang zwischen U_BE, I_B und I_C. Die Spannungen und Ströme werden mittels Monte-Carlo-Integration des thermischen Rauschens an den PN Übergängen ermittelt. / In Falstad, there is no algebraic relationship between U_BE, I_B and I_C. The voltages and currents are determined by means of Monte Carlo integration of the thermal noise at the PN junctions.

In dem einfachsten Transistormodell in Falstad gibt es einen quadratischen Zusammenhang zwischen der Basis-Emitterspannung U_BE und dem Kollektorstrom I_C. Der Basisstrom I_B wird durch den Kollektorstrom I_C verstärkt. / In the simplest transistor model in Falstad, there is a quadratic relationship between the base-emitter voltage U_BE and the collector current I_C. The base current I_B is amplified by the collector current I_C.

In Falstad kann der Proportionalitätsfaktor beta für den NPN Transistor eingestellt werden. In dem einfachsten Modell steigt der Kollektorstrom I_C linear proportional zum Basisstrom I_B. / The proportionality factor beta for the NPN transistor can be set in Falstad. In the simplest model, the collector current I_C increases linearly proportional to the base current I_B.