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Bei einem realen MOSFET gilt in aller Regel:
Die Sättigungsspannung UDSat steigt überquadratischmit der Gate‐Spannung an.
steigt überquadratisch
mit der Gate‐Spannung an.
Der Drainstrom steigt im Sättigungsbereich mitzunehmender Drainspannung an.
Der Drainstrom steigt im Sättigungsbereich mit
zunehmender Drainspannung an.
Die Sättigungsspannung UDSat steigt subquadratisch mit der Gate‐Spannung an.
Der Drainstrom fällt im Sättigungsbereich mit zunehmender Drainspannungab.
Der Drainstrom fällt im Sättigungsbereich mit zunehmender Drainspannung
ab.
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