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El primer gràfic de la figura anterior presenta la concentració real de portador...
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El primer gràfic de la figura anterior presenta la concentració real de portadors majoritaris en un transistor NPN, considerant els mètodes reals de dopatge del semiconductor, i que resulten una mica diferents dels dopatges uniformes ideals.
Relaciona la resta de figures, que corresponen al perfil de minoritaris, amb els corresponents modes de treball identificant si està en mode actiu, saturació o tall.