Tarp užtūros (gate) ir ištakos (source) suformuota pn sandūra.

Tranzistoriui panaudotas n silicio pagrindas.

Tarp ištakos (source) ir santakos (drain) sudarytas silpnai legiruotas n kanalas.

Tranzistoriui panaudotas p silicio pagrindas.

Tarp ištakos (source) ir santakos (drain) sudarytas stipriai legiruotas n kanalas.

Vieta

tarp ištakos ir santakos padengta dielektriniu silicio dioksido sluoksniu ir metaliniu užtūros elektrodu.