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Was passiert bei der p-Dotierung von Silizium in der Halbleitertechnik?
Es werden Elemente der 5. Hauptgruppe eingebracht, die zusätzliche bewegliche Elektronen im Leitungsband bereitstellen.
Elemente wie Phospor erzeugen Akzeptorzustände nahe dem Valenzband, wodurch Löcher als Majoritätsladungsträger entstehen.
Die Fermi-Energie verschiebt sich näher an das Leitungsband.
Die p-Dotierung erhöht die Konzentration der Elektronen im Leitungsband.
Elemente wie Bor erzeugen Akzeptorzustände nahe dem Valenzband, wodurch Löcher als Majoritätsladungsträger entstehen.
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