✅ Перевірена відповідь на це питання доступна нижче. Наші рішення, перевірені спільнотою, допомагають краще зрозуміти матеріал.
Els diagrames següents presenten les característiques I-V d'un transistor MOSFET que té els següents paràmetres de disseny
VT = 1 V µn = 300 cm2/V-s W/L = 5 tox = 20 nm
Examina aquests gràfics i tria les respostes que et semblin correctes.