Der Strom I_B verhält sich bei dem idealen NPN Transistor in Abhänigkeit von U_BE wie der einer Diode. / In the ideal NPN transistor, the current I_B behaves like that of a diode depending on U_BE.

Der Strom I_B verhält steigt quadratisch mit der Spannung U_BE für den idealen NPN Transistor an, da die Spannungsversorgung über den Kollektor den Basisstrom verstärkt. / The current I_B increases quadratically with the voltage U_BE for the ideal NPN transistor, as the voltage supply via the collector amplifies the base current.

Der Strom I_B steigt linear bei dem idealen NPN Transistor in Falstad wie bei einem Widerstand mit der Spannung U_BE an. / The current I_B increases linearly with the ideal NPN transistor in Falstad as with a resistor with the voltage U_BE.