Donades les dades d'aquests dos semiconductors, feu un esquema del diagrama de bandes en dues situacions:

a) En equilibri

b) En equilibri si augmentem molt el dopatge del GaAs fins que sigui degenerat

Examinant el gràfic de la figura, tria les frases que consideris correctes.

La figura presenta cinc diagrames de bandes segons el punt de treball d'un dispositiu MOSFET. Identifica adientment a quin punt de funcionament  sobre la corba de transferencia I_D(V_GS) correspon cada diagrama, seleccionant la combinació correcta d'entre les proposades.

Examinant el gràfic anterior que presenta la característica I_DS (V_DS) d'un transistor JFET, respon les tres qüestions següents :

1.- Quant val el corrent I_DSS? (expresseu el resultat en µA sense posar les unitats)

EXERCICI. Analitza el circuit i calcula quan valen I_D i V_o (expressats en mA i V respectivament)

DADES pels dos dispositius: 

k'(W/L) = 2mA /V²

Valor absolut del voltatge llindar V_T=2V 

Casella 1: V_o

Els circuits de l'esquerra presenten dos transistors MOSFET en configuració CMOS (complementaria). 

Examina el circuit i raona quines de les següents frases són correctes.

Els diagrames següents presenten les característiques I-V d'un transistor MOSFET que té els següents paràmetres de disseny

V_T = 1 V                      µn = 300 cm2/V-s                  W/L = 5                  t_ox = 20 nm

Examina aquests gràfics i tria les respostes que et semblin correctes.

Els gràfics de la figura presenten l'estructura de bandes d'una heterojunció n⁺AlGaAs - AlGaAs - GaAs corresponent a un dispositiu HEMT (high electron mobility transistor).

Selecciona les frases que consideris aplicables.

Casella 2: I_D

EXERCICI. Analitza el circuit i calcula quan valen I_D i V_o (expressats en mA i V respectivament)

DADES pels dos dispositius: 

k'(W/L) = 2mA /V²

Valor absolut del voltatge llindar V_T=2V 

Casella 1: V_o