- від віддаленості кіл електроживлення змінного та постійного струму від кіл керування та пересилання інформації

- від наявності  фільтрування завад системи силового електроживлення

- від наявності екранів в кабелях силового електроживлення та необхідного заземлені на обох кінцях

- від наявності у комутованих колах засобів послаблювання імпульсних завад, справність яких перебуває під контролем

- від рівня напруженості електромагнітного поля і відстані джерел високочастотних завад від технічних засобів

- від рівня напруженості електромагнітного поля, яке створюється переносними передавачами на відстані до них технічних засобів

- від наявністі радіопередавачів, промислових високочастотних установок,  розташованих поблизу  технічних засобів

- можливого розташування технічних засобів  в одному приміщенні з промисловими високочастотними установками великої потужності.

- від наявністі радіопередавачів великої потужності, які розташовані поблизу технічних засобів

- підключити між базою і колектором дросель

- підключити між базою і колектором резистор

- підключити між базою і колектором конденсатор

- підключити між базою і емітером конденсатор

- переріз проводів, які підключаються між клемою заземлення обмежувачів напруги і контуром заземлення буде меншим

- повний опір проводів між клемою заземлення обмежувачів напруги і контуром заземлення буде меншим

- довжина проводів між клемою заземлення обмежувачів напруги і контуром заземлення буде меншою

- переріз проводів між клемою заземлення обмежувачів напруги і контуром заземлення буде більшим

- довжина проводів між клемою заземлення обмежувачів напруги і контуром заземлення буде більшою

 - динамічних змін  напруги їхнього електроживлення  (провалів, переривань, викидів і коливань напруги)

- електромагнітного поля від мобільних телефонів

- комутаційних процесів у електротяговій мережі залізничного транспорту

 - наносекундних імпульсних завад

- кондуктивних завад радіочастотного електромагнітного поля

- якщо вони мають більшу внутрішню індуктивність конденсаторів

- якщо вони мають меншу паразитну ємність індуктивних дроселів

- якщо вони мають меншу внутрішню індуктивність конденсаторів

- якщо вони підключені у мережу електроживлення та підключені до контуру заземлення з низьким опором

 якщо вони мають більшу паразитну ємність індуктивних дроселів

- при зменшенні ємності конденсатора, який підключається між базою і колектором  транзистора

- при збільшенні ємності конденсатора, який підключається між базою і емітером  транзистора

- при збільшенні опору резистора, який підключається між базою і емітером  транзистора

- при збільшенні ємності конденсатора, який підключається між базою і колектором транзистора

- при зменшенні опору резистора, який підключається між базою і колектором  транзистора