Die n-Dotierung erzeugt zusätzliche Elektronen, wodurch sich in jedem Fall das chemische Gleichgewicht im Kristall aufhebt und das Massenwirkungsgesetz nicht mehr gilt.

Die Dotierung mit Phosphor führt zu zusätzlichen beweglichen Elektronen im Leitungsband bei Raumtemperatur.

Bei n-dotiertem Silizium liegt die Majorität der Ladungsträger in Form von Löchern vor.

Die Dotierung mit Elementen der 3. Hauptgruppe (z. B. Bor) führt zu einer Erhöhung der Elektronenkonzentration im Leitungsband.

Nicht-entartete Halbleiter treten nur bei Temperaturen nahe dem absoluten Nullpunkt auf.

Die Besetzungswahrscheinlichkeit für Elektronen im Leitungsband ist bei einem nicht-entarteten Halbleiter konstant.

Die Fermi-Energie liegt innerhalb des Leitungsbands, da dort die meisten Elektronen vorhanden sind.

In einem nicht-entarteten Halbleiter ist die Fermi-Energie deutlich vom Leitungs- und Valenzband getrennt.

Die elektrische Leitfähigkeit entsteht ausschließlich durch thermisch erzeugte Elektronen-Loch-Paare.

Die Dotierung mit Fremdatomen erhöht die Konzentration freier Ladungsträger.

Die Anzahl der Elektronen im Leitungsband ist gleich der Anzahl der Löcher im Valenzband.

Reines Silizium bei Raumtemperatur ist ein Beispiel für einen intrinsischen Halbleiter.

Es werden Elemente der 5. Hauptgruppe eingebracht, die zusätzliche bewegliche Elektronen im Leitungsband bereitstellen.

Elemente wie Phospor erzeugen Akzeptorzustände nahe dem Valenzband, wodurch Löcher als Majoritätsladungsträger entstehen.

Die Fermi-Energie verschiebt sich näher an das Leitungsband.

Die p-Dotierung erhöht die Konzentration der Elektronen im Leitungsband.

Elemente wie Bor erzeugen Akzeptorzustände nahe dem Valenzband, wodurch Löcher als Majoritätsladungsträger entstehen.