Die n-Dotierung erzeugt zusätzliche Elektronen, wodurch sich in jedem Fall das chemische Gleichgewicht im Kristall aufhebt und das Massenwirkungsgesetz nicht mehr gilt.

Die Dotierung mit Phosphor führt zu zusätzlichen beweglichen Elektronen im Leitungsband bei Raumtemperatur.

Bei n-dotiertem Silizium liegt die Majorität der Ladungsträger in Form von Löchern vor.

Die Dotierung mit Elementen der 3. Hauptgruppe (z. B. Bor) führt zu einer Erhöhung der Elektronenkonzentration im Leitungsband.