ρ x e

une concentration en porteurs de charge

σ x e

I x S

I / S

Elle est indépendante de la

température

Elle diminue

Elle augmente

Cela dépend s'il est dopé ou

non

Elle peut augmenter ou

diminuer

Un déplacement des

électrons et des trous dans deux directions opposées

Un déplacement des

électrons et des trous dans une direction donnée

Un déplacement aléatoire des porteurs de charge dans toutes les directions

Un déplacement désorganisé des

charges sous l’effet d’un champ électrique

La distance que peuvent parcourir des électrons, depuis une zone de concentration n₀, avant d'être rappelé par un champ électrique

La longueur de diffusion des électrons, le long de l'axe x, depuis une zone de concentration n₀

La longueur maximale du semi-conducteur, selon l'axe x, contenant des électrons à la concentration n₀, 

La distance maximale que peuvent parcourir des électrons, à la concentration n₀, selon l'axe x, avant de se combiner avec des trous 

La densité d'électron dans la BV est nulle, donc il n'y a des électrons que dans la BC. 

La densité d'électron dans la BV est plus grande que dans la BC 

La densité d'électron dans la BC est plus grande que dans la BV 

La densité d'électron dans la BC est égale à celle de la BV 

Les électrons amenés par le Bore diffusent dans le

silicium

Les atomes diffusent dans le silicium

Les trous du silicium diffusent dans le bore

Les trous amenés par le bore diffusent dans le

silicium

The distance over which most charge carriers can move

The distance over which charge carriers move under

the effect of an electric field

The distance over which most charge carriers are immobile 

this series converges

this series diverges

False

True