Calcula quina és l'amplada de la zona de buidament en la regió N d'una junció metall semiconductor, a temperatura ambient, si la funció de treball del metall és Ф_M= 5,83 eV, la del semiconductor Ф_S= 3,6 eV, el semiconductor és tipus N dopat amb una concentració d'impureses donadores N_D= 15·10¹⁴ cm^-3, i la junció està polaritzada en invers a un potencial de 1,7 volts

Permitivitat del buit=8.85E-14 F/cm