Quina és la diferència de potencial (expressada en V) entre l'emissor i el col·l...
✅ The verified answer to this question is available below. Our community-reviewed solutions help you understand the material better.
Quina és la diferència de potencial (expressada en V) entre l'emissor i el col·lector d'un transistor N+PN de Si a temperatura ambient en equilibri, si els dopatges d'emissor, base i col·lector són respectivament NE=98·1017 cm-3 i NB=13·1015 cm-3 i NC=6·1014 cm-3?
DADES Pemitivitat relativa del Si =12 Permitivitat del buit=8.85E-14 F/cm ni=1010 cm-3
Want instant access to all verified answers on campusvirtual.ub.edu?
Get Unlimited Answers To Exam Questions - Install Crowdly Extension Now!