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Em varistores de ZnO, qual seu mecanismo de atuação eletrônica?
Barreira tipo Schottky nos contornos (Bi, Co, Mn) cria tensão de ruptura; acima dela a corrente cresce abruptamente, desviando surtos.
Magnetização espontânea reduz a resistividade por tunelamento spin-polarizado.
Polarização ferroelétrica de domínios modifica o gap eletrônico intragranular.
Filme vítreo superficial conduz em baixa tensão e isola em alta tensão.
Condução ôhmica linear independente de contornos, com ruptura por fusão volumétrica.
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