Quina és la diferència de potencial (expressada en V) entre la banda de conducció a l'emissor i al col·lector d'un transistor PNP de Si a temperatura ambient en quilibri, si els dopatges d'emissor, base i col·lector són respectivament N_E=38·10¹⁷ cm^-3 i N_B=19·10¹⁵ cm^-3 i N_C=6·10¹⁴ cm^-3?

DADES

Què és l'Efecte Early?

Identifica a quina corba característica i configuració del transistor corresponen les nomenclatures I(V) indicades, relacionant-les amb:

1. Característica de sortida en emissor comú

2. Característica d'entrada en base comuna

3. Característica de sortida en col·lector comú

El següent gràfic presenta com varia el corrent de col·lector d'un transistor NPN en funció del voltatge v_BE quan canviem la temperatura de treball, mantenint constant el corrent d'emissor, assenyalat per la línia de punts.

Relaciona correctament els termes de les dues columnes atenent als signes de la polarització segons la natura NPN i PNP del transistor, recordant que la nomenclatura V_ij indica =V_i -V_j.

Selecciona les eines i tecnologies que s'utilitzen per a la implementació d'un sistema de gestió d'incidències.

Cada resposta incorrecte resta un 20% del valor de la pregunta

Quina eina s'empra per a configurar les actualitzacions automàtiques en Ubuntu Server 22.04?

Si la resposta és incorrecte resta 0,2

Selecciona les que siguin eines per a crear instal·lacions desateses de programari de tercers en Ubuntu 22.

Cada resposta incorrecte resta un 20% del valor de la pregunta

Marca quins dels següents són conceptes que s'han d'acordar prèviament a la Implementació d'un Programa de Gestió d'incidències.

 Cada resposta incorrecte resta un 20% del valor de la pregunta