didesnė nei kolektoriaus

mažesnė nei bazės

mažesnė nei kolektoriaus

didesnė nei bazės

kanalo storio mažinimo režimu (pinch-off)

kanalo ištraukimo režimu (extraction)

kanalo turtinimo režimu (enhancement)

kanalo skurdinimo režimu (depletion)

Tarp užtūros (gate) ir ištakos (source) suformuota pn sandūra.

Tranzistoriui panaudotas n silicio pagrindas.

Tarp ištakos (source) ir santakos (drain) sudarytas silpnai legiruotas n kanalas.

Tranzistoriui panaudotas p silicio pagrindas.

Tarp ištakos (source) ir santakos (drain) sudarytas stipriai legiruotas n kanalas.

Vieta

tarp ištakos ir santakos padengta dielektriniu silicio dioksido sluoksniu ir metaliniu užtūros elektrodu.

Skirtingoms architektūroms skirtingos valdymo įtampos – sudėtingos valdymo schemos

Maža kanalo varža r_DS

Didesnis jautrumas dV/dT

Reikalauja žymiai didesnio apsauginių grandinių suveikimo greičio

Įjungimas/išjungimas vyksta žymiai greičiau

Didelė valdoma įtampa

Geresnės šiluminės savybės, dirba esant aukštesnei temperatūrai

reaktyvinio, priklauso nuo dažnio

rezistyvinio, nuo srovės ir įtampos beveik nepriklauso

aktyvinio, nuo srovės ir įtampos priklauso

kolektoriaus atvirkštinė

emiterio atvirkštinė

emiterio tiesioginė

kolektoriaus tiesioginė