Crowdly

Add to Chrome

Universities
campusvirtual.ub.edu
Electrònica Física en Aula Inversa. Curs 2024-2025

Electrònica Física en Aula Inversa. Curs 2024-2025

Looking for Electrònica Física en Aula Inversa. Curs 2024-2025 test answers and solutions? Browse our comprehensive collection of verified answers for Electrònica Física en Aula Inversa. Curs 2024-2025 at campusvirtual.ub.edu.

Get instant access to accurate answers and detailed explanations for your course questions. Our community-driven platform helps students succeed!

Relaciona correctament els termes de les dues columnes atenent als signes de la polarització segons la natura NPN i PNP del transistor, recordant que la nomenclatura V_ij indica =V_i -V_j.

View this question

No podem considerar una junció PNP en mode actiu com a dues PN independents quan es donen la/les condició/ns següent/s... (Les respostes molt incorrectes resten punts)

Els diferents dopatges han estat generats per tècniques diferents.

❌

La base és molt estreta i no permet la recombinació total dels portadors injectats des de l'emissor.

✅

Les dues juncions estan polaritzades diferent.

✅

Els portadors no recombinats al col·lector es veuen afavorits pel camp a l’altre junció.

❌

View this question

Tenint en compte el símbol d'aquest dispositiu i fent-lo treballar en mode actiu, tria quines frases li són aplicables. (Les respostes molt incorrectes restaran punts, així que no val marcar-les totes).

El terme de corrent més important del corrent d'emissor, és el corrent de forats sortint de l'emissor cap el circuit.

La contribució més significativa del corrent de base és d'electrons sortint des de la base, deixant anar els forats que són injectats des de la base a l'emissor i els forats que es perden per recombinació amb els electrons injectats des de l'emissor

El corrent de col·lector és igual al corrent d'emissor.

El corrent de col·lector és bàsicament constituit pels electrons que han arribat des de la base i surten pel contacte elèctric.

View this question

Quin és el voltatge màxim (expressat en volts) al qual podem polaritzar la junció emissor-base d'un transistor bipolar P⁺NP, per asegurar-nos que l'excés de portadors injectats a la base no supera el 6 % dels portadors majoritaris, si el dopatge de la base és N_D=43·10¹⁴ cm^-3 i el dopatge de l'emissor és de N_A=8·10¹⁶ cm^-3?

DADES

n_i=10¹⁰ cm^-3

kT=26meV

View this question

Relaciona correctament els termes de les dues columnes atenent als signes de la polarització segons la natura NPN i PNP del transistor, recordant que la nomenclatura V_ij indica =V_i -V_j.

1. NPN en mode actiu		a. V_EB>0; V_CB>0
2. PNP en saturació		b. V_EB<0; V_CB<0
3. NPN en saturació		c. V_EB<0; V_CB>0

Quin paràmetre s'utilitza com indicador de la qualitat d'un BJT-PNP pel que fa a la diferència entre el corrent de forats injectat des de l'emissor i el que arriba al col·lector, deguda a la recombinació.

Factor de transport a la base.

Eficiència d'injecció de l'emissor

Guany en base comuna

View this question

Examinant el gràfic inferior identifica els diferents modes d'operació del transistor bipolar a que corresponen cadascú dels perfils de portadors minoritaris.