Valor de R_C.

Relaciona adequadament les dues columnes inferiors, tenint en compte que la terminologia E_cⁱ significa nivell d'energia de la banda de conducció de la regió i.

Valor de R_E.

Ordena en ordre de major a menor importància els corrents que s'especifiquen per un transistor bipolar N⁺PN.

Quina és la diferència de potencial (expressada en V) entre la banda de conducció a l'emissor i al col·lector d'un transistor PNP de Si a temperatura ambient en quilibri, si els dopatges d'emissor, base i col·lector són respectivament N_E=38·10¹⁷ cm^-3 i N_B=19·10¹⁵ cm^-3 i N_C=6·10¹⁴ cm^-3?

DADES

Què és l'Efecte Early?

Identifica a quina corba característica i configuració del transistor corresponen les nomenclatures I(V) indicades, relacionant-les amb:

1. Característica de sortida en emissor comú

2. Característica d'entrada en base comuna

3. Característica de sortida en col·lector comú

El següent gràfic presenta com varia el corrent de col·lector d'un transistor NPN en funció del voltatge v_BE quan canviem la temperatura de treball, mantenint constant el corrent d'emissor, assenyalat per la línia de punts.