Crowdly
Add to Chrome
Схемотехніка пристроїв технічного захисту інформації [03752]
Looking for Схемотехніка пристроїв технічного захисту інформації [03752] test answers and solutions? Browse our comprehensive collection of verified answers for Схемотехніка пристроїв технічного захисту інформації [03752] at vns.lpnu.ua.
Get instant access to accurate answers and detailed explanations for your course questions. Our community-driven platform helps students succeed!
Різниця потенціалів, що виникає між протилежними об’ємними зарядами поблизу межі п- і р-ділянок називається
Тепловий струм p-n-переходу, виготовленого на основі кремнію, у порівнянні з тепловим струмом p-n-переходу, виготовленого на основі германію є
Зі збільшенням концентрації дірок рівень Фермі наближається до
Як називається ділянка р-п-переходу, в яку інжектуються неосновні для цієї ділянки носії заряду?
Як змінюється дифузійна ємність р-п-переходу зі збільшенням прямого струму?
В еквівалентній схемі заміщення, поданій на рисунку, має наступні значення власних параметрів: =200 Ом, =500 кОм і =39. Опір =5 кОм, внутрішній опір джерела сигналу =10 Ом. Визначити вхідний опір підсилювального каскаду.
Відповідь надати у вигляді числа від 1 до 999 і одиницями вимірювання з відповідними приставками кратності або частинності
Процес утворення вільного електрона і дірки в напівпровіднику називається
Де розміщений рівень Фермі у домішкових напівпровідниках р-типу
Рівні енергії вільних електронів належать до